建筑增透膜- 上海卷柔新技术有限责任公司

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X射线光电子能谱（XPS）来表征并确认硅纳米线接口（图2，B到d，而图S1）的逐步修饰。观察到对于HS-硅纳米线（图2，B及C）从所述硫醇S组2S的两个新的特征峰和2p电子，这表明初始硅烷化反应是成功的。与二硫化物接头OPSS-PEG-NH 2处理HS-硅纳米线之后，一个新的Nls电子峰中观察到（图2，B和d），这证实了接头末端胺基团的存在。当孵育H2N-硅纳米线与Tz的磺基-NHS酯中，N 1s峰的强度显着增加，这与Tz的基序中的氮含量是一致的。在将C 1s和N 1S区域去卷积的X射线光电子谱的进一步分析证实硅纳米线的表面上（见图S2）上的接合结构。
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